半導体製造の流れについて教えて下さい。拡散工程で仕事を始めたのですが、以前はダイシング工程（後工程）で働いていたので前工…

Question

半導体製造の流れについて教えて下さい。拡散工程で仕事を始めたのですが、以前はダイシング工程（後工程）で働いていたので前工程は初めてで色々と勉強したいので、詳しい方解答お願いします。①インプラ装置（ミディアムカレント・ハイカレント）の仕組み、インプラとは何か？②チッカ装置の仕組みとチッカとは何か？③リンデポ装置の仕組みとリンデポとは何か？以上③点の製造の流れを是非勉強したいのでよろしくお願いします。

補足

上記の設備のメンテナンスとして働いているので色々な知識を身につけたいと考えてます。初心者ですのでよろしくお願いします。

Answer 1

携帯からですので詳しくは説明出来ませんが後でパソコンから説明しますね。(^^ゞ

①インプラの役割
si基盤にホトリソ工程でレジストを塗布してマスクを基準として感光→現像します。そこにイオン注入装置でP型イオンもしくはN型イオンを打ち込みます。レジストが塗布されていない所に打たれます。
ちなみに
P型のｲｵﾝ種：B、BF2（使用ｶﾞｽ：BF3）
N型ｲｵﾝ種：P（使用ｶﾞｽ：PH3 or 固体P）、As（AsH3 or 固体As）、Sb（固体：Sb） 等があります。
ｲﾝﾌﾟﾗで重要となってくるのは、ｲｵﾝ種、ｴﾈﾙｷﾞｰ、ﾄﾞｰｽﾞ量の3要素？です。
ｲｵﾝ種：P型、N型を決定する。
ｴﾈﾙｷﾞｰ：打ち込み深さが決まります。
ﾄﾞｰｽﾞ量：ｲｵﾝの数量・・・ｲｵﾝの濃度って言った方がわかりやすかな？
又ｲﾝﾌﾟﾗ装置には大きくわけると、●ﾐﾃﾞｨｱﾑｶﾚﾝﾄ：中電流装置 ●ﾊｲｶﾚﾝﾄﾄ：高電流装置 ●ﾊｲｴﾈﾙｷﾞｰ：高ｴﾈﾙｷﾞｰ装置があります。
この装置の振り分け（使用用途は）は、製品のﾄﾞｰｽﾞ量やｴﾈﾙｷﾞｰによって分けられています。
装置の基本構造はまったく同じと考えて良いと思います。ただ高電流装置には前段加速+後段加速部があったりと微妙に違うだけです。

但し私的には、ｲｵﾝ注入装置が半導体製造装置の中で、一番構造が複雑だと認識しています。
正直難しいですね。

②窒化装置
私のしっている窒化装置で簡単に説明します。
単純に高温（800℃～1000℃位）のﾁｬﾝﾊﾞｰ（常圧圧力状態）で、N2Oｶﾞｽ雰囲気中で、ｳｴﾊ上に薄い絶縁膜を形成する装置です。

③ﾘﾝﾃﾞﾎﾟ：POLY-DEPO
拡散工程の半導体の装置でﾃﾞﾎﾟと言ったら、以下のものがあります。
●TESO膜：層間絶縁膜等に使用
●POLY-Si膜：電極、配線層の形成等に使用
●Si3N4膜：LOCOS形成（選択酸化技術）等に使用
●HISO膜：層間絶縁膜等に使用
です。装置の基本構造が同じと考えて良いと思います。（CVD技術です）
高温のﾁｬﾝﾊﾞｰ（約600～800℃）で、低真空中状態の状態を作り、ｶﾞｽを反応させてｳｴﾊ上に成膜します。
ｶﾞｽの種類で膜種が決まってきます。

もし間違っていたら申し訳けありません。多分あってると思うけど・・・・。（汗）
専門用語等が沢山あって説明が困難ですね。（汗）
こうやって私も考えながら記載していると自分自身の勉強にもなります。
ありがとうございました。仕事頑張りましょうねぇ～。